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看一看:看一看;电源设计中同步降压MOSFET电阻比的正

发布时间:2021-11-18 15:32:23 阅读: 来源:自吸泵厂家

在这篇《电源设计小贴士》中拆迁未确权面积怎么补偿,我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折衷处理,而其与占空比和FET电阻比有关。进行这类折衷处理可得到1个用于FET选择的非常有用的起始点。通常,作为设计进程的1个组成部分,您会有1套包括了输入电压范围和期望输出电压的规范,并且需要选择1些FET。另外,如果您是1名IC设计人员,则您还会有1定的预算,其规定了FET本钱或封装尺寸。这两种输入会帮助您选择总MOSFET芯片面积。以后,这些输入可用于对各个FET面积进行效率方面的优化。图 1:传导消耗与FET电阻比和占空比相干

首先,FET电阻与其面积成反比例关系。因此,如果为FET分配1定的总面积,同时您让高侧面积更大(旨在降落其电阻),则低侧的面积必须减小,而其电阻增加。其次,高侧和低侧FET导电时间的百分比与VOUT/VIN的转换比相干,其首先等于高侧占空比(D)。高侧FET导通D百分比时间,而剩余 (1-D) 百分比时间由低侧FET导通。图 1显示了标准化的传导消耗,其与专用于高侧FET的FET面积百分比(X 轴)和转换因数(曲线)相干。很明显,某个设定转换比率条件下,可在高侧和低侧之间实现最好芯片面积分配,这时候候总传导消耗最小。低转换比率条件下,请使用较小的高侧FET。反之,高转换比率时,请在顶部使用更多的FET。面积分配相当重要,由于如果输出增加至3.6V,则针对12V:1.2V转换比率(10%占空比)进行优化的电路,其传导消耗会增加30%,而如果输出进1步增加至6V,则传导消耗会增加近80%房子强拆以后诉讼期是多久。最后,需要指出的是,50%高侧面积分配时所有曲线都经过同1个点。这是由于两个FET电阻在这1点相等。图2 存在1个基于转换比率的最好面积比(注意:电阻比与面积比成反比 )

通过图1,我们知道50%转换比率时出现最好传导消耗极值。但是,在其他转换比率条件下,可以将消耗降至这1水平以下。附录1给出了进行这类优化的数学计算方法,而图2显示了其计算结果。即使在极低的转换比率条件下,FET芯片面积的很大1部分都应当用于高侧FET。高转换比率时1样如此;应当有很大1部分面积用于低侧。这些结果是对这1问题的初步研究,其并未包括如高侧和低侧FET之间的各种具体电阻值,开关速度的影响,或对这类芯片面积进行封装相干的本钱和电阻等诸多方面。但是拆除违章建筑有什么程序.com/chaiqian/s108994" target="_blank">棚户区改造范围怎么界定,它为肯定FET之间的电阻比提供了1个良好的开端,并且应会在FET选择方面实现更好的整体折衷。附录:图 2的推导进程

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